永利集团：闪存价格大跳水背后的“砍单”信号：芯片行业2nm光刻机还值得研发吗

一、价格断崖：从Q3暴涨到Q4暴跌的“过山车”

2024年第三季度，NAND闪存合约价曾环比上涨10%-15%，但进入第四季度，风向急转直下。根据集邦咨询（TrendForce）2024年12月17日发布的数据，四季度NAND Flash合约价预计环比下跌3%-8%，部分消费级固态硬盘（如2TB TLC产品）渠道价格在2024年11月已跌至每GB约0.07美元，较三季度高点下滑近18%。以永利集团为例，其1TB Gen4 SSD零售价在2024年9月冲高至79美元后，12月回落至64美元，降幅达19%。

更令人关注的是上游原厂的“砍单”行为。2024年11月15日，三星电子在其2024年第三季度财报电话会议上明确表示，将削减NAND闪存领域的资本支出，2025年NAND投片量预计较2024年减少约10%。美光科技在2024年10月的财报会议上也宣布，将2025财年NAND设备采购预算从原计划的80亿美元削减至60亿美元，缩减幅度达25%。SK海力士则在2024年12月13日的投资者日上暗示，其NAND产品线产能利用率将从2024年第三季度的89%降至2025年第一季度的75%以下。

二、库存高企：手机与PC出货量给出“砍单”真因

闪存价格跳水的直接原因是终端需求疲软。2024年第四季度，全球智能手机出货量预计仅为2.98亿部，同比下滑4.2%（IDC 2024年12月预测数据）。PC市场更糟：Canalys数据显示，2024年第四季度全球PC出货量预估为6400万台，同比下降1.5%，连续第三个季度下滑。库存方面，截至2024年11月底，三星电子的NAND成品库存周转天数已升至62天，远高于健康水平的45天；美光的NAND库存金额在2024年10月底达到14.3亿美元，较2024年6月底的11.7亿美元增加22%。

这种供求失衡迫使下游模组厂主动砍单。据台湾电子时报2024年12月3日报道，永利集团的OEM客户在2024年第四季度将SSD采购订单环比缩减了15%-20%，理由是为避免2025年一季度价格继续下跌带来的存货跌价损失。深圳一家模组厂商高管在接受采访时表示，“我们11月份拿到的原厂报价已经比9月份低了12%，但客户依然在观望，我们都暂停了部分WAFER（晶圆）拉货。”

三、2nm光刻机：每台4亿美元的昂贵赌注

就在存储芯片市场遭遇“砍单”寒流的同时，先进制程光刻机的投资却正在升温。2024年12月10日，荷兰ASML公司证实，已向英特尔交付了首台High-NA EUV（高数值孔径极紫外）光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200，单台售价高达3.8亿欧元（约合4.2亿美元）。台积电则在2024年11月宣布，其2nm制程将于2025年第四季度试产，为此将在2025年采购至少10台High-NA EUV设备，总支出预计超过40亿美元。

然而，这种投资是否存在风险？以三星电子为例，其在2024年第三季度的半导体部门营业利润率仅为8.7%（因存储价格暴跌），却仍计划在2025年导入2nm光刻机，预估投入超过60亿美元用于先进制程研发。而美光在2024财年的研发支出为36亿美元，占营收比高达18%，但其中大部分用于DRAM和NAND的1γ（1-gamma）节点，并非2nm逻辑工艺。美光CEO Sanjay Mehrotra在2024年11月的投资者会议上直言：“我们正在评估2nm光刻机在存储应用中的性价比，目前不考虑轻易跟进。”

四、研发回报率：存储大厂与逻辑代工的“剪刀差”

存储芯片与逻辑芯片对光刻机的需求存在本质差异。根据IEEE Journal of Solid-State Circuits 2024年11月刊载的研究，2nm EUV单次曝光成本较7nm EUV高出约1.7倍，但NAND闪存对线宽缩小的敏感度远低于CPU/GPU。例如，三星最新的V-NAND（第9代，2024年8月量产）采用双堆栈（dual-stack）技术，关键层仍用ArF浸没式光刻，并未使用EUV。SK海力士在2024年12月澄清，其321层NAND（计划2025年上半年量产）将依赖硬化掩膜和先进蚀刻，而非EUV光刻机。

相比之下，专注逻辑代工的台积电在2024年第三季度的毛利率高达57.8%，其2nm节点规划客户包括苹果（A20芯片，预计2026年iPhone搭载）和AMD（Zen 6架构，预计2026年）。但即便是台积电，也在承受融资压力：其2024年资本支出约300亿美元，其中用于2nm的部分超过35%。随着存储价格下行，永利集团等存储厂商如果盲目追求2nm光刻机，可能面临研发回报率低于5%的风险（根据摩根士丹利2024年12月报告测算）。

五、结论：当“砍单”成为常态，2nm光刻机的性价比存疑

• 短期看需求：2025年上半年，NAND价格预计继续下跌5-10%（TrendForce预估），各原厂去库存压力将持续到2025年二季度。PC与智能手机换机周期并未因AI PC或AI手机概念而显著缩短（实际换机周期依旧维持在4.5年，IDC数据）。
• 中长期看投资：2nm光刻机对存储芯片的实质性收益有限。以三星为例，如果其在2025年投入60亿美元采购2nm设备，而NAND业务毛利率在2024年已降至约12%（三星2024年Q3财报数据），这笔投资需要至少5年才能通过节省光罩成本回收（假设每年节省约12亿美元），但利润将被持续下降的价格压缩。
• 对投资者的警示：半导体投资者应关注产能利用率（目前NAND行业加权平均利用率仅76%）和资本支出回报率（2nm光刻机3.8亿欧元一台，年产能力仅约200-300片晶圆/月），而非单纯追逐节点数字。
• 对消费者的提示：电脑存储选购者在2025年一季度有望以更低价格入手1TB SSD（预计降至每GB 0.06美元），但需注意别因降价预期过度囤货，因为库存调整后闪存价格可能在2025年Q3触底反弹。